北京量子信息科学研究院刘玉龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利微波光转换装置及其转换方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121454813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610008476.2,技术领域涉及:G02F1/00;该发明授权微波光转换装置及其转换方法是由刘玉龙;陈炎霖;王文彦;王宇清;李铁夫设计研发完成,并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本微波光转换装置及其转换方法在说明书摘要公布了:本申涉及微波光转换装置及其转换方法,其中,该微波光转换装置包括半导体薄膜、硅衬底、支架、磁性器件和光学器件。根据本申请提供的微波光转换装置及其转换方法,一方面,彻底摆脱了对极低温环境的依赖,实现室温稳定运行,大幅降低了系统的复杂度与综合成本;另一方面,转换效率相较于传统微波光转换器件大幅提升。
本发明授权微波光转换装置及其转换方法在权利要求书中公布了:1.一种微波光转换装置,其特征在于,包括: 硅衬底; 半导体薄膜,位于所述硅衬底的第一表面上,所述半导体薄膜包括位于所述硅衬底第一表面上的附着部分以及刻蚀所述硅衬底的第二表面直至所述半导体薄膜形成的悬空部分,将所述悬空部分称为半导体薄膜振子,所述半导体薄膜的表面具有微波电路; 支架,包括支架通光孔和多个支架台面,所述多个支架台面中的一个支架台面与所述半导体薄膜振子对应设置,所述多个支架台面中的其他支架台面与所述硅衬底的所述第二表面连接,所述支架通光孔与所述半导体薄膜振子对应设置; 磁性器件,位于与所述半导体薄膜振子对应设置的支架台面上,与所述半导体薄膜振子相距预设距离; 光学部件,包括入射透镜和反射镜,所述入射透镜和所述反射镜分别位于所述半导体薄膜的两侧,并与所述半导体薄膜振子对应设置,通过所述入射透镜的入射光穿过所述支架通光孔和所述半导体薄膜进入所述反射镜,形成光学谐振腔; 其中,微波信号输入所述微波电路时,所述微波电路形成的交变电磁场能够作用于所述磁性器件,以实现微波信号到磁子的转化,所述磁性器件与所述半导体薄膜振子形成耗散耦合的通道,用于磁子与声子的耦合,以实现磁子到声子的能量传递;所述半导体薄膜振子在声子驱动下发生共振时,改变所述光学谐振腔的有效腔长与折射率分布,能够实现所述入射光按照所述微波信号的信息进行调制,生成第一调制光信号。
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