杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610008141.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺是由许一力;丁金超;蒋丰伊;任娜;杨琦;李鑫设计研发完成，并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺，属于半导体器件技术领域，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层，单个所述MOS元胞的内部且位于N漂移层的左右两侧设有侧对称P‑层，所述侧对称P‑层为矩形轮廓，侧对称P‑层的顶端与所述栅极相接触；实施例一中，侧对称P‑层与N漂移层形成PN结，反向偏置时产生横向耗尽区，扩展横向电场范围，避免局部电场集中。
本发明授权一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极4和栅极5；所述半导体外延层包括N衬底层2、N漂移层3、P+层8、N阱层9和P阱层10，所述漏极1位于所述N衬底层2的下侧，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层3中间处设有轻掺杂N层6； 所述轻掺杂N层6贯穿所述N漂移层3，单个所述MOS元胞的内部且位于所述轻掺杂N层6的左右两侧对称设有P-层7，所述P-层7为梯形轮廓，所述P-层7的顶端与所述P阱层10的底端相接触。
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