福建省金石能源股份有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121463574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610005309.2,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池是由林朝晖;林楷睿;谢艺峰;张超华;黄巍辉;张明智设计研发完成,并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池在说明书摘要公布了:本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池,包括:S2、在硅片背面形成第一半导体层,同时自然形成磷硅玻璃层作为掩膜层;S3、背面形成第二半导体开口区;S4、采用激光刻划的方式,对硅片正面进行整面刻蚀,以去除正面的掩膜层绕镀层、并将掩膜层中至少部分磷掺杂入硅片;S5、进行制绒清洗,之后去除掩膜层。本发明能够在简化工艺流程即减少一次湿法清洗、降低材料成本的同时,保证正面的掩膜层绕镀层被完全刻蚀、无残留,且有效减少对背面膜层的损伤,有效规避湿法腐蚀背面钝化膜层的风险,同时还对电池正面磷掺杂提供一定的场钝化效果,增强电池正背面整体钝化效果,进而提高电池效率。
本发明授权一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池在权利要求书中公布了:1.一种背接触电池的后制绒制作方法,其特征在于,包括如下步骤: S1、提供双面抛光的硅片; S2、在硅片背面形成含N型掺杂层的第一半导体层,同时自然形成磷硅玻璃层作为掩膜层; S3、在S2所得背面的膜层上进行第一刻蚀开口,形成第二半导体开口区; S4、采用激光刻划的方式,对硅片正面进行整面刻蚀,以去除正面的掩膜层绕镀层、并将掩膜层中至少部分磷掺杂入硅片;其中控制激光刻划的最终整体面积大于硅片正面面积,且整面刻蚀过程中,控制横向划线方向上相邻激光光斑的重叠率≥50%,纵向划线排列方向上相邻两条划线的重叠率≥50%; S5、进行制绒清洗,在硅片正面和第二半导体开口区内分别形成金字塔绒面,之后去除掩膜层; S6、在硅片正面沉积形成钝化层及减反层,背面沉积形成第二半导体层。
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