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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610005312.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池是由林朝晖;林楷睿;黄晓狄;张超华;林锦山;皮文慧;杨清霖;陈有鹏;黄俊坚设计研发完成，并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池在说明书摘要公布了：本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池，包括：S2、在硅片背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、第一氧化硅掩膜层、第二多晶硅掩膜层；S3、背面形成隧穿氧化层、N型多晶硅层、第一掺磷氧化硅掩膜层、第二掺磷多晶硅掩膜层及第三PSG掩膜层；S4、形成第二半导体开口区；S5、制绒清洗；之后清洗去除第三PSG掩膜层；S6、正面形成第三半导体层和减反层；S7、先使用酸液去除减反层绕镀层；后使用碱液去除第三半导体层绕镀层；然后清洗。本发明能完整保护背面隧穿氧化层、N型多晶硅层的第一半导体结构，且无需增加新的工艺设备，保证较高钝化水平，提高电池转换效率。

本发明授权一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池在权利要求书中公布了：1.一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供双面抛光的硅片； S2、在硅片背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、第一氧化硅掩膜层、第二多晶硅掩膜层； S3、对背面膜层进行磷扩散、高温退火推进，形成隧穿氧化层、N型多晶硅层、第一掺磷氧化硅掩膜层、第二掺磷多晶硅掩膜层及第三PSG掩膜层；期间控制高温退火推进的退火温度T以℃为单位的数值与第一氧化硅掩膜层的厚度L1以nm为单位的数值、第二多晶硅掩膜层的厚度L2以nm为单位的数值满足关系式：T=10L1+2L2+920； 控制第三PSG掩膜层的磷掺杂浓度为5e21cm-3-8e21cm-3，第二掺磷多晶硅掩膜层的磷掺杂浓度为1e21cm-3-3e21cm-3，第一掺磷氧化硅掩膜层的磷掺杂浓度为5e20cm-3-8e20cm-3； 和或，N型多晶硅层的磷掺杂浓度为1e20cm-3-5e20cm-3； S4、在S3所得背面的各膜层上进行第一次刻蚀开口，形成间隔排布的第二半导体开口区； S5、通过制绒清洗，去除第二半导体开口区内残留的隧穿氧化层、N型多晶硅层，同时在硅片正面及第二半导体开口区形成绒面；之后清洗去除第三PSG掩膜层；其中制绒采用的制绒液包含PSG保护添加剂； S6、在硅片正面形成第三半导体层和减反层，同时在背面产生对应绕镀层； S7、先使用酸液去除减反层绕镀层；后使用碱液去除第三半导体层绕镀层，同时第二掺磷多晶硅掩膜层被去除；然后清洗，同时第一掺磷氧化硅掩膜层被去除； S8、在背面沉积第二半导体层。

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