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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121472984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610031248.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置是由李雄杰;牛萍娟;宁平凡;姜勇;张嵩设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置，包括雾化装置、反应腔、加热装置、多孔型双层结构输运装置、运动密封装置、衬底夹持装置和尾气处理装置；多孔型双层结构输运装置用于实现对各组分反应原料的输运，包括外层输运通道、外层输运孔环带、内层输运通道、内层输运孔环带和内层导流柱；运动密封装置包括升降支架和电机。本发明设计的多孔型双层结构输运装置，实现了薄膜厚度均匀，实现了径向组分分布均匀，解决了常规缓冲结构缺陷导致的多组分半导体薄膜径向组分分布不均匀及厚度的均匀性差的问题。

本发明授权一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置，其特征在于，该装置包括两个雾化装置1、反应腔2、加热装置3、多孔型双层结构输运装置4、运动密封装置5、衬底夹持装置6和尾气处理装置7； 多孔型双层结构输运装置4用于实现对各组分反应原料的输运，包括外层输运通道4-1、外层输运孔环带4-2、内层输运通道4-3、内层输运孔环带4-4和内层导流柱4-5； 外层输运通道4-1的外壁可拆卸式固定于反应腔2的内壁上；外层输运孔环带4-2的外圈固定于外层输运通道4-1的内壁上；内层输运通道4-3的外壁固定于外层输运孔环带4-2的内圈上；内层输运孔环带4-4的外圈固定于内层输运通道4-3的内壁上；内层导流柱4-5为柱状结构；内层导流柱4-5位于多孔型双层结构输运装置4的中轴线上；内层导流柱4-5的一端固定于内层输运孔环带4-4的内圈中；外层输运孔环带4-2上开有外层输运环带孔4-10；内层输运孔环带4-4上开有内层输运环带孔4-11；外层输运环带孔4-10向内倾斜且内层输运环带孔4-11向外倾斜，这种相对设置的方式便于反应原料雾气的充分混合； 两个雾化装置1的出气端分别与外层输运通道4-1的进气端和内层输运通道4-3的进气端连通；按照气相的流动方向，外层输运通道4-1由依次连接的外层下部分缓冲区域进气管4-12、外层下部分缓冲区域4-6和外层上部分缓冲区域4-7构成；外层下部分缓冲区域4-6和外层上部分缓冲区域4-7组成渐变加粗的结构；按照气相的流动方向，内层输运通道4-3由依次连接的内层下部分缓冲区域进气管4-13、内层下部分缓冲区域4-8和内层上部分缓冲区域4-9构成；内层下部分缓冲区域4-8和内层上部分缓冲区域4-9组成渐变加粗的结构。

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