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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种半导体芯片浸蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610031751.2，技术领域涉及：H10P50/60；该发明授权一种半导体芯片浸蚀装置是由郝建勇;席章伟设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体芯片浸蚀装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体芯片浸蚀装置，包括浸蚀箱，和用于带动晶圆固定机构运动的驱动机构，以及位于浸蚀箱内的分层组件，所述驱动机构包括升降组件和旋转组件，所述旋转组件包括旋转座和竖杆，所述竖杆顶端贯穿旋转座，所述竖杆上设置有多个横板，所述横板上贯穿有上旋转柱，所述上旋转柱与晶圆固定机构顶部相连接，所述分层组件包括多个平行分布的隔板，以及和浸蚀箱内壁焊接固定的底板，所述隔板和底板中心处均贯穿有固定筒。本发明将浸蚀箱内部分隔成多个蚀刻区，通过将晶圆分散在多个蚀刻区内，各蚀刻区内的晶圆蚀刻工作互不干扰，且每个蚀刻区内蚀刻液中的反应物浓度较低，能有效减少反应物附着在晶圆上的情况。

本发明授权一种半导体芯片浸蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片浸蚀装置，包括浸蚀箱1，和用于带动晶圆固定机构运动的驱动机构，以及位于浸蚀箱1内的分层组件； 其特征在于：所述驱动机构包括升降组件和旋转组件，所述旋转组件包括旋转座4和竖杆6，所述竖杆6顶端贯穿旋转座4，所述竖杆6上设置有多个横板10，所述横板10上贯穿有上旋转柱11，所述上旋转柱11与晶圆固定机构顶部相连接，所述上旋转柱11底部连接有下旋转柱12，所述下旋转柱12上设置有次转子13； 所述分层组件包括多个平行分布的隔板14，以及和浸蚀箱1内壁焊接固定的底板15，所述隔板14和底板15中心处均贯穿有固定筒16，最顶端的所述隔板14上设置有固定座23，所述固定座23上活动连接有一组主转子27； 相邻两个隔板14之间以及隔板14和底板15之间均形成有浸蚀区，所述浸蚀区处的固定筒16上开设有第一通孔17，所述浸蚀箱1上还设置有循环机构； 所述隔板14直径小于浸蚀箱1的内壁长度，所述隔板14和底板15均与固定筒16焊接固定，所述固定筒16底端为开口状； 所述循环机构包括与浸蚀箱1相连通的第一循环管18，和与分流条20相连通的第二循环管19，所述分流条20为中空的“匚”状结构，所述分流条20上连接有四个呈矩形状分布的导流柱21，所述导流柱21上均匀开设有第二通孔22。

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