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龙图腾网获悉江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利Micro-LED外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121510737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610043181.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权Micro-LED外延结构是由舒俊;敖应权;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED外延结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种Micro‑LED外延结构，其依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、第一超晶格层、电子调制层、发光层、空穴调制层、第二超晶格层和P型GaN层；应力释放层包括InαGa1‑αN层和第一GaN层；第一超晶格层包括InxGa1‑xN层和第二GaN层；电子调制层包括AlaGa1‑aN层和第三GaN层，发光层包括InyGa1‑yN量子阱层和量子垒层，空穴调制层包括AlbGa1‑bN层和IncGa1‑cN层，第二超晶格层包括InzGa1‑zN层和第四GaN层，y＞x＞α，y＞z，a≥b，发光层的周期数≤8。实施本发明，可提升Micro‑LED在低电流密度下的光效，发光均匀性。

本发明授权Micro-LED外延结构在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED外延结构，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层和P型GaN层；所述应力释放层包括交替层叠的InαGa1-αN层和第一GaN层； 所述多量子阱层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一超晶格层、电子调制层、发光层、空穴调制层和第二超晶格层； 其中，所述第一超晶格层包括交替层叠的InxGa1-xN层和第二GaN层；所述电子调制层包括交替层叠的AlaGa1-aN层和第三GaN层，所述发光层包括交替层叠的InyGa1-yN量子阱层和量子垒层，所述空穴调制层包括交替层叠的AlbGa1-bN层和IncGa1-cN层，所述第二超晶格层包括交替层叠的InzGa1-zN层和第四GaN层； 其中，α的取值范围为0.05~0.1，x的取值范围为0.08~0.15，a的取值范围为0.01~0.35，y的取值范围为0.15~0.35，b的取值范围为0.05~0.3，c的取值范围为0.05~0.15，z的取值范围为0.05~0.1，y＞x＞α，y＞z，a≥b，且所述发光层的周期数≤8； 所述电子调制层的周期数为3~10； 沿所述Micro-LED外延结构的生长方向，多个所述AlaGa1-aN层中的Al组分占比呈递增变化； 所述空穴调制层的周期数为3~8； 沿所述Micro-LED外延结构的生长方向，多个所述AlbGa1-bN层中的Al组分占比呈递减变化。

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