季华实验室张传林获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121593165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610115797.2，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法是由张传林;路璐;米少波设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体材料制备技术领域，特别涉及一种层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法。所述层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料的制备方法，包括如下步骤：将Ge3Sb4Se7材料研磨后置于石英管中，加入碘颗粒，真空封装于石英管中，将石英管有原料的一端置于高温区，无原料的一端置于低温区；升温，使低温区端的温度为400±25℃，高温区端的温度为500±25℃，保温7天后，自然冷却至室温，得到Ge3Sb2Se5半导体材料。所述Ge3Sb2Se5半导体材料的晶体结构属于正交晶系，具有低热导率和低电阻率的特性。本发明制备方法，可以稳定地制备出Ge3Sb2Se5半导体材料，为其物性研究和半导体光电器件等的制备提供了材料。
本发明授权层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S01.将Ge3Sb4Se7材料研磨后置于石英管中，加入碘颗粒，真空封装于石英管中，将石英管有原料的一端置于高温区，无原料的一端置于低温区； S02.升温，使低温区端的温度为400±25℃，高温区端的温度为500±25℃，保温7天后，将真空密封的石英管自然冷却至室温，得到的生长材料为Ge3Sb2Se5半导体材料。
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