北京中科彼岸集成电路科技有限公司曾传滨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请的专利基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121604806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610129824.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法是由曾传滨;田大庆设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版，在N片具有相同结构的基础芯片上制作相同孔结构，获得N片有相同孔结构的基础芯片，所述基础芯片包括第一基础芯片、第二基础芯片，……，第N基础芯片；采用第二掩膜版，依次完成以下步骤：将所述第一基础芯片装载于光刻机，通过预先设置的第二掩膜版‑第一光刻偏移参数，光刻制作第一孔结构，以得到第一芯片；以此类推得到第N芯片；所述第一孔结构、第二孔结构，……，第N孔结构，各孔结构至少有一个孔连接到芯片内部与其它孔结构是不同的。本发明所提供的方法可实现多层堆叠用不同芯片的制备。
本发明授权基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法，其特征在于，基于N片有相同结构的基础芯片，所述方法包括： 采用第一掩膜版，在N片具有相同结构的基础芯片上制作相同孔结构，获得N片有相同孔结构的基础芯片，所述基础芯片包括第一基础芯片、第二基础芯片，……，第N基础芯片； 采用第二掩膜版，依次完成以下步骤： 将所述第一基础芯片装载于光刻机，通过预先设置的第二掩膜版-第一光刻偏移参数，光刻制作第一孔结构，以得到第一芯片； 将所述第二基础芯片装载于光刻机，通过预先设置的第二掩膜版-第二光刻偏移参数，光刻制作第二孔结构，以得到第二芯片； 以此类推； 将所述第N基础芯片装载于光刻机，通过预先设置的第二掩膜版-第N光刻偏移参数，光刻制作第N孔结构，以得到第N芯片； 所述第一孔结构、第二孔结构，……，第N孔结构，各孔结构至少有一个孔连接到芯片内部与其它孔结构是不同的。
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