北京中科彼岸集成电路科技有限公司曾传滨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请的专利一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121620190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610130212.4，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法是由曾传滨;田大庆设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法，包括：提供至少两层待堆叠的多层芯片，每层芯片包括功能结构、第一易结合层和或第二易结合层；其中，至少一层芯片还包括牺牲层和连接孔；将多层芯片按功能要求对准、堆叠并键合，形成堆叠芯片；采用第一掩膜版对所述堆叠后的多层芯片进行光刻，并利用第一刻蚀材料进行刻蚀，形成贯穿至少部分芯片层的超深孔；采用第二刻蚀材料刻蚀所述牺牲层，形成能覆盖所述连接孔的空腔；淀积和或生长材料，通过所述填充超深孔形成功能结构与外部的连接。本发明通过与超薄减薄层堆叠技术的结合，可解决三维堆叠芯片器件高密度层间互联的问题；同时，还具有有效克服颗粒污染、提升芯片可制造性等优点。
本发明授权一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供至少两层待堆叠的多层芯片，每层芯片包括功能结构以及至少一层易结合层；其中，至少一层芯片还包括牺牲层和连接孔，所述牺牲层、连接孔与功能结构间形成材料连接； 将所述多层芯片按功能要求对准、堆叠并键合，形成堆叠芯片； 采用第一掩膜版对堆叠后的多层芯片进行光刻，并利用第一刻蚀材料进行刻蚀，形成贯穿至少部分芯片层的超深孔； 采用第二刻蚀材料刻蚀所述牺牲层，形成能覆盖所述连接孔的空腔； 淀积和或生长材料，通过填充超深孔形成功能结构与外部的连接。
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