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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010971697.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件是由朴钟昊;宋在烈;金完敦;李炳训;M.哈桑设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极漏极图案在第二有源图案的上部中；以及第一和第二栅电极，分别与第一和第二沟道图案交叉。第一和第二栅电极中的每个包括与第一和第二沟道图案中的对应一个相邻的第一金属图案。第一和第二沟道图案包括SiGe。第二沟道图案的Ge浓度高于第一沟道图案的Ge浓度。第二栅电极的第一金属图案的厚度大于第一栅电极的第一金属图案的厚度。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，其包括第一有源区和第二有源区； 第一有源图案和第二有源图案，分别在所述第一有源区和所述第二有源区上； 一对第一源极漏极图案和在所述一对第一源极漏极图案之间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极漏极图案在所述第一有源图案的上部中； 一对第二源极漏极图案和在所述一对第二源极漏极图案之间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极漏极图案在所述第二有源图案的上部中；以及 第一栅电极和第二栅电极，分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叉， 其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极中的每个包括与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案中的相应一个相邻的第一金属图案， 其中，所述第一沟道图案和所述第二沟道图案包括硅锗SiGe， 其中，所述第二沟道图案的锗Ge的浓度高于所述第一沟道图案的锗Ge的浓度， 其中，所述第二栅电极的所述第一金属图案的厚度大于所述第一栅电极的所述第一金属图案的厚度，以及 其中，所述第一沟道图案还包括作为杂质的氮N，所述第一沟道图案中的所述氮N的浓度从所述第一沟道图案的顶表面向所述第一沟道图案的底表面逐渐减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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