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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011514528.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法是由郑有宏;郭俊聪;卢玠甫;蔡敏瑛;许乔竣;李静宜设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有被背面深沟槽隔离BDTI结构包围的光电二极管的图像传感器以及一种相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被放置在图像感测管芯内，并且分别包括光电二极管，该光电二极管被配置为将辐射转换成电信号。光电二极管包括被光电二极管掺杂层包围的第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，该光电二极管掺杂层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。BDTI结构被放置在相邻像素区域之间并且从图像感测管芯的背面延伸到光电二极管掺杂层内的位置。BDTI结构包括第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层。掺杂衬垫给介电填充层的侧壁表面加衬。

本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成图像传感器的方法，包括： 从图像感测管芯的正面形成用于多个像素区域的多个光电二极管，其中，光电二极管被形成为具有第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，所述光电二极管掺杂柱被第二掺杂类型的光电二极管掺杂层包围，所述第二掺杂类型不同于所述第一掺杂类型； 从所述图像感测管芯的正面，在所述光电二极管掺杂层中的相邻像素区域之间形成深沟槽，其中，所述光电二极管掺杂层的暴露于所述深沟槽的上部部分在所述深沟槽的蚀刻期间转化为缺陷层； 交替地进行至少两种蚀刻剂的周期清洗工艺以去除所述缺陷层； 形成给所述深沟槽的侧壁表面加衬的所述第二掺杂类型的掺杂衬垫前体，所述掺杂衬垫前体的厚度小于10nm且掺杂浓度大于1×1019cm-3； 通过执行退火工艺来形成掺杂衬垫，以促进掺杂剂从所述掺杂衬垫前体扩散到所述光电二极管掺杂层的相邻部分；以及 形成填充所述深沟槽的内部空间的介电填充层，以形成背面深沟槽隔离结构， 其中，进行所述周期清洗工艺包括使用氢氟酸以及氨和过氧化氢混合物的溶液交替地进行多个周期，所述周期清洗工艺将位于所述深沟槽的顶角处的弯曲尖端的从所述深沟槽的上侧壁至垂直于所述光电二极管掺杂层的横向平面的垂直线的弯曲角度减小到小于15°。

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