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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110895967.0，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体装置及其制造方法是由说田雄二设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第1芯片，设置有存储单元阵列；及第2芯片，与该第1芯片接合，且设置有控制存储单元阵列的控制电路。第1芯片具有衬底、焊垫、第1构造体、及第2构造体。衬底配置于第2芯片的接合面的相反侧，且包含：第1面，与对向的接合面之间设置有存储单元阵列；第2面，与该第1面为相反侧；及开口部，在第1区域中从第2面到达第1面。焊垫设置于开口部内。第1构造体设置于第1面与接合面之间，且与焊垫电连接。第2构造体在第1区域中设置于第1面与接合面之间。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于具备：第1芯片，设置有存储单元阵列；及第2芯片，与该第1芯片接合，且设置有控制所述存储单元阵列的控制电路； 所述第1芯片具有： 第1绝缘层，配置于与所述第2芯片的接合面的相反侧，且包含第1面、与该第1面为相反侧的第2面、及第1区域中的连接端子区域，所述第1面与对向的所述接合面之间设置有所述存储单元阵列； 连接端子，以至少一部分露出的方式设置于所述连接端子区域中； 第1构造体，设置于所述第1面与所述接合面之间，且与所述连接端子电连接； 第2构造体，在所述第1区域中设置于所述第1面与所述接合面之间；及 层间绝缘膜，设置于第1积层体与所述第1构造体之间，所述第1积层体是所述存储单元阵列所具有的； 所述连接端子与所述第2构造体具有俯视下重叠的部分， 所述第2构造体与所述层间绝缘膜具有互不相同的材料， 所述连接端子将外部与所述第1芯片电连接， 在所述连接端子下方设置有多个所述第1构造体，且在设置的多个所述第1构造体之间设置有所述第2构造体， 所述存储单元阵列具有所述第1积层体，所述第1积层体包含沿与所述第1面垂直的第1方向交替积层的多个导电层及多个绝缘层， 所述第2构造体具有第3积层体，所述第3积层体以与所述第1积层体对应的方式交替积层，且包含与所述第1构造体绝缘的多个金属层及多个绝缘层， 还具有在所述第1区域中与所述连接端子连接的接合线。

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