广东先导微电子科技有限公司唐林锋获国家专利权
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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种锑化镓晶片的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111609764.7，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权一种锑化镓晶片的处理方法是由唐林锋;刘火阳;宋向荣;马金峰;周铁军;廖和杰设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锑化镓晶片的处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锑化镓晶片的处理方法，包括：S1、将切片清洗后的锑化镓晶片进行清洗，去除表面的切割液；S2、冲洗锑化镓晶片表面，并进行干燥；S3、采用A腐蚀液对锑化镓晶片进行清洗，A腐蚀液由碱性物质和氧化物组成；S4、采用B腐蚀液对锑化镓晶片进行清洗，B腐蚀液由酸性溶液和缓冲液组成；S5、冲洗锑化镓晶片表面，并进行干燥；S6、在日光灯下观察锑化镓晶片表面并标注孪晶分布。本发明的处理方法择优腐蚀稳定性高、重复性好、腐蚀速度可控，经腐蚀处理后的晶片孪晶位置清晰，能够进行很好地识别，从而有利于提高掰片的准确率和效率。
本发明授权一种锑化镓晶片的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种锑化镓100晶片的处理方法，其特征在于，包括： S1、将切片后的锑化镓晶片进行清洗，去除表面的切割液； S2、冲洗锑化镓晶片表面，并进行干燥； S3、采用A腐蚀液对锑化镓晶片进行清洗，所述A腐蚀液由碱性物质和氧化剂组成；所述A腐蚀液中，所述碱性物质为氢氧化钾、氢氧化钠和氨水中的至少一种；所述氧化剂为次氯酸盐、氯酸盐和双氧水中的至少一种；步骤S3中，所述清洗的时间为20～50s； S4、采用B腐蚀液对锑化镓晶片进行清洗，所述B腐蚀液由酸性溶液和缓冲液组成；所述酸性溶液为盐酸和或氢氟酸，所述缓冲液为醋酸、丙酸和丁酸中的至少一种；所述B腐蚀液中，所述酸性溶液与缓冲液的体积比为1:1～3；所述清洗的时间为30～90s； S5、冲洗锑化镓晶片表面，并进行干燥； S6、在日光灯下观察锑化镓晶片表面并标注孪晶分布； S7、根据孪晶分布进行锑化镓掰片。
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