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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利多器件分层嵌埋封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111518254.9，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权多器件分层嵌埋封装结构及其制作方法是由陈先明;冯磊;黄高;黄本霞;洪业杰设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本多器件分层嵌埋封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了多器件分层嵌埋封装结构的制作方法，包括：准备聚合物支撑框架；在第一器件放置口框内贴装第一器件，形成第一封装层；形成第一线路层和第二线路层，第一器件的端子与第二线路层连通，第一导通线路层和第二线路层通过第一导通铜柱层导通连接；形成第二导通铜柱层和第二牺牲铜柱层；第一线路层上形成第二绝缘层，第二线路层上形成第三绝缘层；形成与第一器件放置口框垂直重叠的第二器件放置口框；在第二器件放置口框内贴装第二器件和第三器件，形成第二封装层；在第二绝缘层上形成第三线路层，第二器件和第三器件的端子分别与第三线路层连通，第一导通线路层和第三线路层通过第二导通铜柱层导通连接。还公开了多器件分层嵌埋封装结构。

本发明授权多器件分层嵌埋封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多器件分层嵌埋封装结构的制作方法，包括如下步骤： a准备聚合物支撑框架，所述聚合物支撑框架包括第一绝缘层、贯穿所述第一绝缘层的第一导通铜柱层和第一器件放置口框； b在所述第一器件放置口框的底部贴装第一器件，并在所述第一器件放置口框和所述第一器件的间隙内形成第一封装层； c在所述第一绝缘层的上下表面上分别形成第一线路层和第二线路层，所述第一线路层包括第一导通线路层和第一牺牲线路层，所述第一牺牲线路层覆盖所述第一器件放置口框，所述第一器件的端子和所述第二线路层连通，所述第一导通线路层和所述第二线路层通过所述第一导通铜柱层导通连接； d在所述第一线路层上形成第二铜柱层，所述第二铜柱层包括第二导通铜柱层和第二牺牲铜柱层，所述第二牺牲铜柱层位于所述第一牺牲线路层上； e在所述第一线路层和所述第二铜柱层上层压绝缘材料，减薄绝缘材料暴露所述第二铜柱层的端部形成第二绝缘层，在所述第二线路层上层压绝缘材料形成第三绝缘层； f蚀刻所述第一牺牲线路层和所述第二牺牲铜柱层形成第二器件放置口框，所述第二器件放置口框和所述第一器件放置口框垂直重叠； g在所述第二器件放置口框的底部贴装第二器件和第三器件，并在所述第二器件放置口框与所述第二器件和所述第三器件的间隙内形成第二封装层，所述第二器件和所述第三器件分别与所述第一器件分层垂直重叠； h在所述第二绝缘层的上表面上形成第三线路层，所述第二器件的端子和所述第三器件的端子分别与所述第三线路层连通，所述第一导通线路层和所述第三线路层通过所述第二导通铜柱层导通连接。

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