买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210116370.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法是由杨林安;陈尧;岳航博;胡啸林;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、InP副沟道、第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道、第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂InAlAs隔离层、delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持高In组分沟道的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。

本发明授权一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述晶体管包括： 半绝缘InP衬底101、未掺杂InAlAs缓冲层102、InP副沟道103、第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道104、未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道105、第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道106、未掺杂InAlAs隔离层107、delta-doping层108、未掺杂InAlAs势垒层109、n+InGaAs源极帽层110、n+InGaAs漏极帽层111、源极电极112、漏极电极113、钝化层114和栅极电极115；其中， 未掺杂InAlAs缓冲层102位于半绝缘InP衬底101上方； InP副沟道103位于未掺杂InAlAs缓冲层102上方；其中，所述InP副沟道与In0.22Ga0.78AsIn0.7Ga0.3AsIn0.22Ga0.78As复合沟道组成四层式复合沟道结构，InP副沟道在整个沟道结构的最下方；第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道104位于InP副沟道103上方； 未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道105位于未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道104上方； 第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道106位于未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道105上方； 未掺杂InAlAs隔离层107位于第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道106上方； delta-doping层108位于未掺杂InAlAs隔离层107上方； 未掺杂InAlAs势垒层109位于delta-doping层108上方； n+InGaAs源极帽层110位于未掺杂InAlAs势垒层109上方的一侧； n+InGaAs漏极帽层111位于未掺杂InAlAs势垒层109上方的另一侧； 源极电极112位于n+InGaAs源极帽层110上方； 漏极电极113位于n+InGaAs漏极帽层111上方； 钝化层114位于n+InGaAs源极帽层110、源极电极112与n+InGaAs漏极帽层111、漏极电极113之间； 钝化层114呈凹型结构，凹型结构两端分别与n+InGaAs源极帽层110、源极电极112、n+InGaAs漏极帽层111、漏极电极113的内侧相接触；其中，一端与n+InGaAs源极帽层110内侧的全部区域、源极电极112内侧的部分区域相接触，另一端与n+InGaAs漏极帽层111内侧的全部区域、漏极电极113内侧的部分区域相接触；所述凹型结构的凹陷区域中间包括栅区域凹槽； 栅极电极115位于栅区域凹槽并接触未掺杂InAlAs势垒层109，且厚度大于栅区域凹槽的厚度； 其中，未掺杂InAlAs缓冲层102的厚度为300~500nm，In组分为52%； InP副沟道103厚度为2~5nm； 第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道104厚度为2~3nm； 未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道105厚度为2~3nm； 第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道106厚度为2~3nm； 未掺杂InAlAs隔离层107厚度为2~3nm，In组分为52%； delta-doping层108为平面掺杂，掺杂浓度为5×1012cm-2； 未掺杂InAlAs势垒层109厚度为12~15nm，In组分为52%； n+InGaAs源极帽层110和n+InGaAs漏极帽层111的厚度为30nm，掺杂浓度5×1018cm-3~3×1019cm-3，In组分为60%； 钝化层114厚度为50~100nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。