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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628436B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210171597.0，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体器件是由成东俊;朴淳五设计研发完成，并于2017-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体器件。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板； 驱动电路区域，设置在所述基板上并包括多个外围电路； 多条字线，设置在所述驱动电路区域上，并包括第一字线和第二字线； 多个存储单元结构，设置在所述多条字线上，并包括设置在所述第一字线上的第一存储单元结构、设置在所述第一字线上的第二存储单元结构、设置在所述第二字线上的第三存储单元结构以及设置在所述第二字线上的第四存储单元结构； 多条位线，设置在所述多个存储单元结构上，并包括设置在所述第一存储单元结构上和在所述第三存储单元结构上的第一位线以及设置在所述第二存储单元结构上和在所述第四存储单元结构上的第二位线；以及 多个绝缘图案，设置在所述多个存储单元结构当中的两个相邻的存储单元结构之间，并包括设置在所述第一存储单元结构和所述第二存储单元结构之间的第一绝缘图案以及设置在所述第一存储单元结构和所述第三存储单元结构之间的第二绝缘图案， 其中所述第一存储单元结构包括第一电极、设置在所述第一电极上的选择器件、设置在所述选择器件上的第二电极、设置在所述第二电极上的可变电阻层以及设置在所述可变电阻层上的第三电极，以及 空隙设置在所述多个绝缘图案中的至少一个中， 其中所述第一存储单元结构包括设置在所述选择器件的侧壁上的第一盖层和设置在所述可变电阻层的侧壁上的第二盖层，以及在所述第一存储单元结构的同一侧所述第一盖层与所述第二盖层间隔开。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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