台湾积体电路制造股份有限公司林秉顺获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件中的接触件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210116580.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件中的接触件结构是由林秉顺;程仲良;赵皇麟设计研发完成，并于2022-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件中的接触件结构在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件中的接触件结构。公开了一种具有无衬里接触件结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一源极漏极SD区域和第二SD区域之间形成第一电介质层；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一栅极全环绕GAA结构和第二GAA结构以及在第一电介质层上形成第二电介质层；在第二电介质层中并且在第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；在暴露的第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层的顶表面上选择性地形成种子层；以及在种子层上选择性地沉积导电层。
本发明授权半导体器件中的接触件结构在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一源极漏极SD区域和第二源极漏极SD区域； 在所述第一源极漏极SD区域和所述第二源极漏极SD区域之间形成第一电介质层； 在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一栅极全环绕GAA结构和第二栅极全环绕GAA结构，其中，所述第一栅极全环绕GAA结构和所述第二栅极全环绕GAA结构被所述第一电介质层电隔离； 在所述第一栅极全环绕GAA结构和所述第二栅极全环绕GAA结构以及所述第一电介质层上形成第二电介质层； 在所述第二电介质层中并且在所述第一栅极全环绕GAA结构和所述第二栅极全环绕GAA结构以及所述第一电介质层上形成渐缩沟槽开口； 在所述第一栅极全环绕GAA结构和所述第二栅极全环绕GAA结构以及所述第一电介质层的在所述渐缩沟槽开口中暴露的顶表面上选择性地形成种子层；以及 在所述种子层上选择性地沉积导电层以填充所述渐缩沟槽开口。
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