长江存储科技有限责任公司孙超获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210172063.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由孙超设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：半导体层中并列设置且被第一介质层间隔的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管、第二晶体管均包括：沟道区；源极；漏极；栅极；第一掺杂区，位于第一晶体管中和或第二晶体管中从与第一介质层接触的侧面向栅极方向延伸预设尺寸的区域，且第一掺杂区的掺杂类型与源极和漏极的掺杂类型均不同。本发明实施例中，当第一晶体管和第二晶体管中的其中一个晶体管被导通时，被导通的晶体管的沟道区变成高压，通过设置第一掺杂区，可以使得电子不易通过被导通的晶体管的沟道区向第一介质层移动并进入另一晶体管的沟道区影响另一晶体管，使得能够改善第一晶体管和第二晶体管之间的耦合效应。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体层中并列设置且被第一介质层间隔的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管、第二晶体管均包括： 沟道区； 源极； 漏极；其中，所述源极和所述漏极分别位于所述沟道区沿所述半导体层厚度方向相对的两端； 栅极，位于所述沟道区的一侧；其中，所述第一晶体管的栅极位于所述第一晶体管的两侧中远离所述第一介质层的一侧，所述第二晶体管的栅极位于所述第二晶体管的两侧中远离所述第一介质层的一侧；以及， 第一掺杂区，位于所述第一晶体管中和或所述第二晶体管中从与所述第一介质层接触的侧面向栅极方向延伸预设尺寸的区域，且所述第一掺杂区的掺杂类型与所述源极和漏极的掺杂类型均不同。
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