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龙图腾网获悉株式会社爱发科申请的专利蚀刻装置及蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111420780.1，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权蚀刻装置及蚀刻方法是由邻嘉津彦设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本蚀刻装置及蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明供给一种能够提高衬底面内氧化硅膜的蚀刻量均匀性的蚀刻装置及蚀刻方法。本发明的蚀刻装置使用包含氟化氢和氨的处理气体来蚀刻氧化硅膜，其具有腔室、气体供给部、水蒸气供给部以及控制部。所述腔室构成为能够配置表面具有所述氧化硅膜的衬底。所述气体供给部构成为能够向所述腔室供给所述处理气体或所述处理气体的前体气体。所述水蒸气供给部构成为能够向所述腔室供给水蒸气。在蚀刻处理时，所述控制部以向所述腔室供给所述处理气体或所述前体气体、和所述水蒸气的方式控制所述气体供给部和所述水蒸气供给部。

本发明授权蚀刻装置及蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种用于使用包含氟化氢和氨的处理气体、以及水蒸气来蚀刻氧化硅膜的蚀刻装置，其具有： 腔室，其能够配置表面具有所述氧化硅膜的衬底； 气体供给部，其能够向所述腔室供给所述处理气体或所述处理气体的前体气体； 水蒸气供给部，其能够以使水蒸气向所述腔室内的所述衬底的整个表面扩散的方式供给水蒸气；以及 控制部，其在蚀刻处理时以向所述腔室供给所述处理气体或所述前体气体、和所述水蒸气的方式控制所述气体供给部和所述水蒸气供给部， 所述气体供给部具有第一气体供给管线和第二气体供给管线， 所述第一气体供给管线具有：自由基生成部，其由含氢的气体生成氢自由基，所述第一气体供给管线能够向所述腔室供给含氢自由基的第一前体气体， 所述第二气体供给管线能够向所述腔室供给含氟的第二前体气体， 所述氟化氢通过所述第一前体气体与所述第二前体气体在所述腔室内反应来生成， 所述第一气体供给管线和所述第二气体供给管线分别与所述腔室连接， 所述第一气体供给管线具有在所述腔室开口的第一供给口，所述第二气体供给管线具有在所述腔室开口的多个第二供给口，所述水蒸气供给部具有在所述腔室开口的多个第三供给口，多个所述第二供给口和多个所述第三供给口分别以包围所述第一供给口的方式配置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社爱发科，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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