长江存储科技有限责任公司豆海清获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利3D存储器件及其制造方法、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210607298.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权3D存储器件及其制造方法、存储系统、电子设备是由豆海清;高毅;曾最新;周文犀;熊峰设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D存储器件及其制造方法、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括片存储区，片存储区包括：位于半导体衬底上的叠层结构；贯穿叠层结构的多个栅线隙，部分栅线隙将片存储区划分为多个块存储区，多个栅线隙沿第一方向排布，且相邻栅线隙之间设有贯穿叠层结构的多个沟道柱，片存储区包括沿第一方向排布的中心区和至少一个边缘区，至少一个边缘区中的至少一个栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，大于中心区中至少一个栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离。其中通过增大边缘区中栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，以避免受应力以及负载效应的影响导致3DNAND器件可靠性低、良率低的情况。
本发明授权3D存储器件及其制造方法、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种3D存储器件，其中，包括片存储区，所述片存储区包括： 叠层结构； 贯穿所述叠层结构的多个栅线隙，所述多个栅线隙沿第一方向排布，且相邻栅线隙之间设有贯穿所述叠层结构的多个沟道柱， 其中，所述片存储区包括沿所述第一方向排布的中心区和至少一个边缘区，所述至少一个边缘区中的至少一个所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，大于所述中心区中任意一个所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离指沿第一方向上该栅线隙与之最近的沟道柱之间的距离。
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