南亚科技股份有限公司郑闵中获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060726.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由郑闵中设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括提供一基底，该基底包括一绝缘区、一主动区以及一第一上表面，该主动区邻近该绝缘区，其中该绝缘区具有一绝缘沟槽，该绝缘沟槽填充有一介电材料，而该主动区具有一栅极沟槽，该栅极沟槽填充有一栅极电极材料；形成一硬遮罩在该基底上；以及执行一蚀刻制程以部分移除该介电材料与该栅极电极材料借由该硬遮罩而暴露的一些部分，以形成该介电材料的一第二上表面以及该栅极电极材料的一第三上表面，其中该第二上表面与该第三上表面大致在相同位面且大致低于该第一上表面。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，包括： 提供一基底，该基底包括一绝缘区、一主动区以及一第一上表面，该主动区邻近该绝缘区，其中该绝缘区包括一绝缘沟槽，该绝缘沟槽填充有一介电材料，而该主动区包括一栅极沟槽，该栅极沟槽填充有一栅极电极材料； 形成一硬遮罩在该基底上；以及 执行一蚀刻制程以部分移除借由该硬遮罩而暴露的该介电材料与该栅极电极材料，以形成该介电材料的一第二上表面以及该栅极电极材料的一第三上表面； 其中该第二上表面与该第三上表面在相同的一位面，且低于该第一上表面， 其中该蚀刻制程包括： 在一第一工作阶段使用一第一等离子体，其中该第一等离子体具有该栅极电极材料对该介电材料的一第一蚀刻选择性； 在一第二工作阶段将该第一等离子体改变成一第二等离子体，其中该第二等离子体具有该栅极电极材料对该介电材料的一第二蚀刻选择性；以及 在一第三工作阶段将该第二等离子体改变成一第三等离子体，其中该第三等离子体具有该栅极电极材料对该介电材料的一第三蚀刻选择性。
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