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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210777579.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法是由何玉亭;曾自强;关赫;周德云设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于InAsAlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、AlGaSb缓冲层、p型GaSb插入层、下势垒层、InAs沟道层、上势垒层、InAlAs空穴阻挡层、InAs帽层、源极、漏极和栅极，其中，GaAs衬底、AlGaSb缓冲层、p型GaSb插入层、下势垒层、InAs沟道层、上势垒层、InAlAs空穴阻挡层、InAs帽层依次层叠；源极和漏极均位于InAs帽层上，且源极和漏极之间相距一定距离；InAs帽层中设置有栅槽，栅槽位于源极和漏极之间且位于InAlAs空穴阻挡层上，栅极位于栅槽中。该射频场效应晶体管器件中，在AlGaSb缓冲层和下势垒层之间插入p型GaSb插入层，p型GaSb插入层可以消除一些由碰撞电离效应引起的空穴，抑制空穴向衬底方向的运动，从而改善器件的直流特性，提高器件的性能。

本发明授权一种基于InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于InAsAlSb异质结型射频场效应晶体管器件，其特征在于，包括GaAs衬底1、AlGaSb缓冲层2、p型GaSb插入层3、下势垒层4、InAs沟道层5、上势垒层6、InAlAs空穴阻挡层7、InAs帽层8、源极9、漏极10、栅极11，其中， 所述GaAs衬底1、AlGaSb缓冲层2、p型GaSb插入层3、下势垒层4、InAs沟道层5、上势垒层6、InAlAs空穴阻挡层7、InAs帽层8依次层叠；所述下势垒层4包括依次层叠的第一AlSb下势垒子层41、InAs下势垒插入层42和第二AlSb下势垒子层43，且所述第一AlSb下势垒子层41位于所述p型GaSb插入层3上；所述上势垒层6包括依次层叠的第一AlSb上势垒子层61、InAs上势垒插入层62和第二AlSb上势垒子层63，且所述第一AlSb上势垒子层61位于所述InAs沟道层5上；所述InAs上势垒插入层62为2~5个分子层δ-掺杂的InAs，掺杂元素包括Si，掺杂浓度为1×1019~1.2×1019cm-3； 所述源极9和所述漏极10均位于所述InAs帽层8上，且所述源极9和所述漏极10之间相距一定距离； 所述InAs帽层8中设置有栅槽110，所述栅槽110位于所述源极9和所述漏极10之间且位于所述InAlAs空穴阻挡层7上，所述栅极11位于所述栅槽110中。

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