上海华力微电子有限公司李小康获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614689.1，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由李小康;李士普;彭宇飞设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有存储区及非存储区，在所述衬底上依次形成遂穿氧化层、氮化层及牺牲氧化层，并在所述存储区的所述牺牲氧化层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀除去所述非存储区上的所述牺牲氧化层及所述氮化层；除去所述光刻胶层；除去所述存储区上的所述牺牲氧化层的至少部分厚度及所述非存储区上的所述遂穿氧化层。在所述牺牲氧化层上形成所述光刻胶层，避免所述光刻胶层涂覆及去胶过程中对所述氮化层造成的损伤，进而避免影响所述氮化层对电荷的存储能力。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有存储区及非存储区，在所述衬底上依次形成遂穿氧化层、氮化层及牺牲氧化层，并在所述存储区的所述牺牲氧化层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀除去所述非存储区上的所述牺牲氧化层及所述氮化层；其中，以所述光刻胶层为掩膜刻蚀除去所述非存储区上的所述牺牲氧化层及所述氮化层时，还同步除去所述非存储区的所述遂穿氧化层的至少部分厚度；同步除去所述非存储区的所述遂穿氧化层的至少部分厚度之后，所述非存储区剩余的所述遂穿氧化层的厚度小于所述牺牲氧化层的厚度； 除去所述光刻胶层； 除去所述存储区上的所述牺牲氧化层的至少部分厚度及所述非存储区上的所述遂穿氧化层； 除去所述存储区上的所述牺牲氧化层的部分厚度及所述非存储区上的所述遂穿氧化层，所述存储区剩余的所述牺牲氧化层构成第一介质层； 形成所述第一介质层之后还包括：在所述衬底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层及所述非存储区的衬底，所述第一介质层及所述第二介质层构成栅极介质层。
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