铠侠股份有限公司吉原义昭获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储系统及标签部件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110905760.7，技术领域涉及：G11B33/04；该发明授权存储系统及标签部件是由吉原义昭设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储系统及标签部件在说明书摘要公布了：本发明的一个实施方式提供改善了散热性能的存储系统、使在存储系统中产生的热适当地扩散的标签部件。一个实施方式涉及的存储系统具备基板、第1半导体器件、第2半导体器件以及标签部件。第1半导体器件配置在基板的第1面。第2半导体器件配置在基板的第1面。标签部件具有使来自第1半导体器件的发热进行扩散的第1部分、使来自第2半导体器件的发热进行扩散的第2部分以及配置在第1部分与第2部分之间且对第1半导体器件与第2半导体器件之间的热传导进行抑制的第3部分。
本发明授权存储系统及标签部件在权利要求书中公布了：1.一种存储系统，具备： 第1基板，其具有第1面； 第1半导体器件，其配置在所述第1基板的所述第1面； 第2半导体器件，其配置在所述第1基板的所述第1面，在第1方向上与所述第1半导体器件间隔开；以及 标签部件，其具有使来自所述第1半导体器件的发热进行扩散且在与所述第1方向垂直的第2方向上配置在与配置所述第1半导体器件的位置对应的位置的第1部分、使来自所述第2半导体器件的发热进行扩散且在所述第2方向上配置在与配置所述第2半导体器件的位置对应的位置的第2部分以及对所述第1部分的热与所述第2部分的热之间的热传导进行抑制的第3部分， 所述第3部分由绝缘材料形成，所述第3部分的一部分在所述第1方向上位于所述第1部分与所述第2部分之间，另一部分中以所述第1部分和所述第2部分不在所述第3部分的表面露出的方式埋入有所述第1部分和所述第2部分， 所述第1部分的第1热传导率和所述第2部分的第2热传导率均比所述第3部分的第3热传导率高。
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