横店集团东磁股份有限公司陈胜齐获国家专利权
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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种低阻抗电感及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210766413.5，技术领域涉及：H01F27/28；该发明授权一种低阻抗电感及其制备方法与应用是由陈胜齐;娄海飞;胡江豪;金崭凡设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低阻抗电感及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种低阻抗电感及其制备方法与应用，所述低阻抗电感包括带有凹陷的磁性中柱；凹陷部分的体积占所述磁性中柱体积的1％～10％；所述制备方法首先将磁性粉料与胶水混合，得到混合原料；之后依次进行包覆造粒和筛分处理后，置于模具中进行第一压制处理，得到带有凹陷的磁性中柱；所述磁性中柱经第一固化处理后，装配导体线圈，再依次进行第二压制处理和第二固化处理，得到半成品；所述半成品依次进行绝缘防护、镭射剥漆和电镀，得到所述低阻抗电感。本发明所述的低阻抗电感中带有凹陷的磁性中柱可有效降低导体线圈变形程度，进而降低电感的直流阻抗。
本发明授权一种低阻抗电感及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种低阻抗电感，其特征在于，所述低阻抗电感包括带有凹陷的磁性中柱；所述凹陷设置于所述磁性中柱的表面；凹陷部分的体积占所述磁性中柱体积的1%~10%；所述磁性中柱的密度为5.5~7.5gcm3；所述低阻抗电感可以有效降低导体线圈变形程度，且直流阻抗为30.2mΩ以下。
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