北京师范大学彭奎庆获国家专利权
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龙图腾网获悉北京师范大学申请的专利一种晶体硅各向异性腐蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210774666.7，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权一种晶体硅各向异性腐蚀方法是由彭奎庆;王江;白冰设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体硅各向异性腐蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体硅各向异性腐蚀方法，属于新材料技术领域，可用于晶体硅表面微纳米尺度金字塔结构制备。该技术简单易行，氢氟酸腐蚀溶液中不需要添加双氧水等强氧化剂，也不需要添加铜离子，成本低廉，所制备的大面积微纳米尺度金字塔绒面与工业碱腐蚀产生的金字塔绒面结构相同，光吸收性能优异。
本发明授权一种晶体硅各向异性腐蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体硅各向异性腐蚀方法，其特征在于，包括： 将表面清洁的晶体硅片放入盛有氯化铁和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-80℃下反应1-24小时，然后将腐蚀后的晶体硅片放入盐酸和双氧水混合水溶液里面浸泡去除表面残存的金属离子； 其中，所述氯化铁的浓度为0.005-1.0molL，所述氢氟酸的浓度为0.5-20.0molL； 上述方法利用含有氯化铁的氢氟酸溶液对晶体硅进行各向异性腐蚀，在晶体硅表面制备大面积正金字塔阵列结构，不需要加入铜离子，也不需要加入其它氧化剂，安全简单易操作；由于酸性腐蚀溶液中不含易沉积的铜离子和银离子，因此腐蚀制备的金字塔表面光滑、无金属颗粒沉积，平均反射率在5％～15％，应用于光电器件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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