扬州扬杰电子科技股份有限公司张晓勇获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211054133.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法是由张晓勇;王毅设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法在说明书摘要公布了：一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法。涉及半导体技术领域。自下而上依次包括：阴极电极层，N+衬底层，N‑外延层，所述N‑外延层上设有若干间隔设置的P型注入区；所述P型注入区包括从上而下间隔设置的导电沟道和P体区；介质层，二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有若干从其顶部向下延伸至P体区的沟槽；和阳极电极层，所述阳极电极层的底部通过沟槽延伸至P体区。本发明改善了器件正向工作时的导通电阻特性，提高了器件的性能和可靠性。
本发明授权一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管，其特征在于，自下而上依次包括： 阴极电极层5， N+衬底层4， N-外延层3，所述N-外延层3上设有若干间隔设置的P型注入区；所述P型注入区包括从上而下间隔设置的导电沟道6和P体区8； 介质层2， 二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有若干从其顶部向下延伸至P体区8的沟槽7；和阳极电极层1，所述阳极电极层1的底部通过沟槽7延伸至P体区8； 所述阳极电极层1的中部向下延伸至N-外延层3内，形成电极层延伸部9； 所述电极层延伸部9呈M型结构； 若干所述P型注入区之间间距不小于1.3μm。
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