中国电子科技集团公司第二十四研究所罗婷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利深槽隔离双极晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210933000.1，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权深槽隔离双极晶体管及其制造方法是由罗婷;魏佳男;张培健;付晓君;王鹏;陈仙;易孝辉设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本深槽隔离双极晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种深槽隔离双极晶体管及其制造方法，通过设置在第一杂质类型衬底内的第一杂质类型重掺杂区，在过剩载流子向集电区‑衬底PN结输运的路径上引入了高复合率区域，减少了被集电区收集的过剩载流子数量，能够有效降低瞬时光电流的幅值并缩短其持续时间，从而大幅提高了深槽隔离双极晶体管的抗瞬时剂量率效应能力；第一杂质类型重掺杂区位于衬底中，不改变器件的本征区域结构和工艺流程，不影响器件的常规电学参数；第一杂质类型重掺杂区的形成方法简单，与常规器件相比，仅需增加一次离子注入流程，同时不需引出单独的金属接触，有利于降低工艺复杂度和制造成本；同时，在提高抗瞬时剂量率效应能力的同时，还能够提高抗单粒子效应能力。
本发明授权深槽隔离双极晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种深槽隔离双极晶体管，其特征在于，包括： 第一杂质类型衬底； 第一杂质类型重掺杂区，设置在第一杂质类型衬底内； 第二杂质类型集电区，设置在第一杂质类型衬底上并位于第一杂质类型重掺杂区的上方； 深槽隔离介质，环绕第二杂质类型集电区设置； 第一隔离介质，嵌在第二杂质类型集电区内，且环绕第二杂质类型集电区的窗口区设置； 第一杂质类型基区，设置在第二杂质类型集电区及第一隔离介质上，且与第二杂质类型集电区的窗口区接触； 第二隔离介质，环绕第一杂质类型基区的窗口区，且其底部暴露出第一杂质类型基区的窗口区； 第二杂质类型发射区，设置在第二隔离介质上，且穿过第二隔离介质与第一杂质类型基区的窗口区接触； 其中，第一杂质类型重掺杂区靠近第一杂质类型衬底与第二杂质类型集电区构成的PN结设置。
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