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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种横向变掺杂高压LDMOS及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210966902.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种横向变掺杂高压LDMOS及其制作方法是由叶蕾;王峰;胡林辉设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向变掺杂高压LDMOS及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种横向变掺杂高压LDMOS及其制作方法，该方法包括以下步骤：基于衬底形成漂移区、体区、漏极、源极及栅极，栅极包括主栅极和虚拟栅极，主栅极横跨于漂移区与体区之间，虚拟栅极位于漂移区上且位于主栅极及漏极之间，虚拟栅极中设有在主栅极指向漏极的方向上依次排列且间距依次或间歇减小的多个离子注入窗口；基于虚拟栅极向漂移区进行离子注入并退火以在漂移区中形成掺杂浓度在主栅极指向漏极的方向上逐渐增大的掺杂区域。本发明的横向变掺杂高压LDMOS通过离子注入实现漏极到源极漂移区浓度的缓变降低，以实现整体浓度的增加，有效降低了导通内阻，同时搭配场板技术可以有效提高器件的击穿电压，工艺步骤简单且易精确控制。

本发明授权一种横向变掺杂高压LDMOS及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种横向变掺杂高压LDMOS的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底； 基于所述衬底形成漂移区、体区、漏极、源极及栅极，所述漂移区及所述体区均位于所述衬底中并间隔设置，所述漏极位于所述漂移区中，所述源极位于所述体区中，所述栅极位于所述衬底上，所述栅极包括主栅极和虚拟栅极，所述主栅极横跨于所述漂移区与所述体区之间，且所述主栅极的一端延伸至所述漂移区上方，所述主栅极的另一端延伸至所述源极上方，所述虚拟栅极位于所述漂移区上且位于所述主栅极及所述漏极之间，所述虚拟栅极中设有多个离子注入窗口，所述多个离子注入窗口在所述主栅极指向所述漏极的方向上依次排列且间距依次或间歇减小； 基于所述虚拟栅极向所述漂移区进行离子注入并退火以在所述漂移区中形成掺杂区域，所述掺杂区域的掺杂浓度在所述主栅极指向所述漏极的方向上逐渐增大，且所述漏极与所述掺杂区域连接； 形成场板于所述虚拟栅极上表面，所述场板还填充进所述离子注入窗口中，且所述场板还延伸至所述主栅极的上表面。

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