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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210899273.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法是由陈远鹏;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了阵列基板及其制备方法，其显示区设置第一薄膜晶体管，包括非晶氧化物为第一半导体层，在非显示区设置第二薄膜晶体管，包括结晶氧化物为第二半导体层。由于结晶氧化物的迁移率高于非晶氧化物的迁移率，采用结晶氧化物作第二半导体层，可以提升迁移率，保证在缩小第二薄膜晶体管尺寸、实现窄边框的同时，第二半导体层具有高迁移率，第二薄膜晶体管具有较强的驱动能力。并且，第一薄膜晶体管中的第一栅极和第一半导体层之间设置层叠的第一绝缘部和第三绝缘部，第三绝缘部的宽度小于第一绝缘部的宽度。由于第三绝缘部宽度小于第一绝缘部宽度，避免了膜层底下形成空洞，避免影响膜层之间的覆盖和贴合，和第一薄膜晶体管的整体性能。

本发明授权阵列基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板，所述衬底基板包括显示区和非显示区； 第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述衬底基板上，且位于所述显示区，所述第一半导体层包括非晶氧化物； 第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述衬底基板上，所述第一绝缘层包括第一绝缘部，所述第一绝缘部设置在所述第一半导体层上； 第二半导体层，所述第二半导体层位于所述非显示区，且设置在所述衬底基板上，所述第二半导体层包括结晶氧化物； 第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述衬底基板上，所述第二绝缘层包括第三绝缘部和第四绝缘部，所述第三绝缘部设置在所述第一绝缘部上，所述第三绝缘部的宽度小于所述第一绝缘部的宽度；所述第四绝缘部设置在所述第二半导体层上； 栅极层，所述栅极层设置在所述第二绝缘层上，所述栅极层包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极设置在所述第三绝缘部上，所述第二栅极设置在所述第四绝缘部上； 第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述衬底基板上，所述第三绝缘层覆盖所述栅极层； 源漏层，所述源漏层设置在所述第三绝缘层上，所述源漏层包括第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极，所述第一源极连接于所述第一半导体层的一侧，所述第一漏极连接于所述第一半导体层的另一侧，以构成第一薄膜晶体管；所述第二源极连接于所述第二半导体层的一侧，所述第二漏极连接于所述第二半导体层的另一侧，以构成第二薄膜晶体管； 所述第一绝缘层还包括位于所述非显示区的第二绝缘部，所述第二绝缘部位于所述第二半导体层靠近所述衬底基板的一侧； 所述第二绝缘部的厚度等于遮光层的厚度； 所述第三绝缘层还开设有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔裸露所述第一半导体层，所述第三过孔裸露所述第二半导体层，所述第二过孔的深度等于所述第三过孔的深度； 所述第一源极通过所述第二过孔连接于所述第一半导体层，所述第二源极通过所述第三过孔连接于所述第二半导体层； 其中，所述第一源极所在的平面与所述第一漏极所在的平面、所述第二源极所在的平面及所述第二漏极所在的平面齐平。

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