爱思开海力士有限公司廉孝燮获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582213.6，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法是由廉孝燮设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括：半导体基板，其包括在水平方向上延伸的上表面；源极结构，其包括在水平方向上延伸的沟槽，该源极结构设置在半导体基板上方；金属结构，其在源极结构的沟槽中并且将源极结构连接到半导体基板；以及存储器单元串，其设置在沟槽的两侧并且连接到源极结构。
本发明授权半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 半导体基板，该半导体基板包括在水平方向上延伸的上表面； 源极结构，该源极结构包括在所述水平方向上延伸的沟槽，该源极结构设置在所述半导体基板上方； 金属结构，该金属结构在所述源极结构的所述沟槽中并且将所述源极结构连接到所述半导体基板；以及 存储器单元串，所述存储器单元串设置在所述沟槽的两侧并且连接到所述源极结构， 其中，所述金属结构包括： 水平图案，该水平图案在所述沟槽中；以及 垂直图案，该垂直图案从所述水平图案朝着所述半导体基板延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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