爱思开海力士有限公司金晃衍获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利电子设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104996.5，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电子设备及其制造方法是由金晃衍设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子设备及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种包括半导体存储器的电子设备及其制造方法。半导体存储器包括：衬底，该衬底包括单元区域和外围电路区域，单元区域包括第一单元区域和第二单元区域，第一单元区域被设置成比第二单元区域更靠近外围电路区域；第二线，这些第二线设置在第一线之上且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储单元，这些存储单元位于在单元区域中的第一线与第二线之间的交叉区域处；第一绝缘层，该第一绝缘层位于在第一单元区域中的第一线之间、第二线之间、或者第一线之间和第二线之间二者；以及第二绝缘层，该第二绝缘层位于在第二单元区域中的第一线之间和第二线之间，其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数。
本发明授权电子设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括： 衬底，所述衬底包括单元区域和外围电路区域，所述单元区域包括第一单元区域和第二单元区域，所述第一单元区域被设置成比所述第二单元区域更靠近所述外围电路区域； 多个第一线，所述多个第一线被设置在所述衬底之上且各自在第一方向上延伸； 多个第二线，所述多个第二线被设置在所述第一线之上且各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸； 多个存储单元，所述多个存储单元位于在所述单元区域中的所述第一线与所述第二线之间的交叉区域处； 第一绝缘层，所述第一绝缘层位于在所述第一单元区域中的所述多个第一线之间、所述多个第二线之间、或者所述多个第一线之间和所述多个第二线之间二者；以及 第二绝缘层，所述第二绝缘层位于在所述第二单元区域中的所述多个第一线之间和所述多个第二线之间， 其中，所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。
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