福建省晋华集成电路有限公司孔果果获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利三维存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211008764.6，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权三维存储器件及其制作方法是由孔果果;庄梦琦;童宇诚;梁毅浩设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了三维存储器件，包括衬底以及设置在衬底上的存储堆叠结构。存储堆叠结构包括多组导电‑电介质层对，其中存储堆叠结构具有第一区域以及第二区域，位于第一区域的上半部的导电‑电介质层对堆叠成阶梯状、下半部具有相互切齐的第一侧壁，位于第二区域的上半部的导电‑电介质层对具有相互切齐的第二侧壁、下半部堆叠成阶梯状。如此，三维存储器件可通过简化的制作工艺形成存储堆叠结构，并且，避免具有高宽比较大的存储堆叠结构发生倒塌或结构缺陷等问题。
本发明授权三维存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件，其特征在于，包括： 衬底；以及存储堆叠结构； 所述存储堆叠结构设置在所述衬底上； 所述存储堆叠结构包括：多组导电-电介质层对； 所述存储堆叠结构具有第一区域和第二区域； 所述第一区域的上半部的所述导电-电介质层对堆叠成阶梯状； 所述第一区域的下半部的所述导电-电介质层对具有相互切齐的第一侧壁； 所述第二区域的上半部的所述导电-电介质层对具有相互切齐的第二侧壁； 所述第二区域的下半部的所述导电-电介质层对堆叠成阶梯状； 多条通道结构，所述通道结构贯穿所述存储堆叠结构； 其中所述第一区域与所述第二区域分别位于所述通道结构的第一侧与第二侧，且所述第一侧与所述第二侧相互垂直。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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