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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种硼扩散制结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211056805.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种硼扩散制结的方法是由李增彪;华毓玮;胡克喜;任勇;周东;何悦;彭宏杰设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硼扩散制结的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硼扩散制结的方法，所述方法包括以下步骤：1制绒后的硅片在扩散装置中通入O2进行表面氧化；随后在扩散装置中通入携带硼源的小N2与O2反应，同时通入大N2将硼源和O2运输到硅片表面，在硅片表面进行BSG预沉积，完成后调整O2、小N2和大N2的流量，继续在硅片表面进行BSG沉积和推进，完成后，对扩散装置中的硅片进行吹扫；2将吹扫完成后的硅片转移至链式氧化装置中，在保护气氛下进行快速热处理，去除背面BSG层后完成硼扩散；所述方法在管式扩散中快速完成BSG沉积和短时间预推进，又借助快速热处理装置完成推结，保证了硅片均匀性的同时又大大节约了硼扩散制结时间，提高了生产效率。

本发明授权一种硼扩散制结的方法在权利要求书中公布了：1.一种硼扩散制结的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1制绒后的硅片在扩散装置中通入O2进行表面氧化；随后在扩散装置中通入携带硼源的小N与O反应，同时通入大N将硼源和O运输到硅片表面，在硅片表面进行BSG预沉积；所述BSG预沉积完成后，调整O、小N和大N的流量，继续在硅片表面进行BSG沉积和推进；所述BSG沉积和推进完成后，对扩散装置中的硅片进行吹扫； 所述BSG预沉积的温度为850-900℃；所述BSG预沉积时，所述O与携带硼源的小N的体积流量比为1-3:1；所述小N的流量为800-3000sccm；所述大N的流量为10-15slm； 所述BSG沉积和推进的温度为950-1000℃；所述BSG沉积和推进时，所述O与携带硼源的小N的体积流量比为1:2-4；所述小N的流量为800-3000sccm；所述大N的流量为10-15slm； 2将吹扫完成后的硅片转移至链式氧化装置中，在保护气氛下进行快速热处理，去除背面BSG层后完成硼扩散过程。

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