西安电子科技大学宁静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种横向同质异质结存储器器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210944952.3，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种横向同质异质结存储器器件及制备方法是由宁静;张弛;张进成;王东;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种横向同质异质结存储器器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种横向同质异质结存储器器件及制备方法，存储器器件包括：衬底栅层、第一介质层、第二介质层、二维半导体沟道层和欧姆电极，其中，第一介质层和第二介质层均位于衬底栅层上，且第一介质层和第二介质层相接触；二维半导体沟道层位于第一介质层和第二介质层上；欧姆电极位于二维半导体沟道层的两端。该存储器器件通过复合介质层对二维半导体沟道层进行介质调控和静电栅调控，使得同质材料中形成横向异质结，形成的横向异质结截面处于第一介质层和第二介质层的交界处，且形成的横向异质结界面只有一条线，减少了界面处的缺陷，并且由于是采用同种材料形成的异质结，所以不存在不同材料间的晶格失配问题，提高了存储器电学性能。
本发明授权一种横向同质异质结存储器器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向同质异质结存储器器件，其特征在于，包括：衬底栅层1、第一介质层2、第二介质层3、二维半导体沟道层4和欧姆电极5，其中， 所述第一介质层2和所述第二介质层3均位于所述衬底栅层1上，且所述第一介质层2和所述第二介质层3相接触；所述第一介质层2和所述第二介质层3的材料均为铁电介质材料； 所述二维半导体沟道层4位于所述第一介质层2和所述第二介质层3上； 所述欧姆电极5位于所述二维半导体沟道层4的两端。
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