桑迪士克科技有限责任公司杨翔获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利用于调整由于半圆形SGD引起的阈值电压分布的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210121463.8，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权用于调整由于半圆形SGD引起的阈值电压分布的系统和方法是由杨翔;K·伊索祖米;P·阿明设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于调整由于半圆形SGD引起的阈值电压分布的系统和方法在说明书摘要公布了：以下公开内容涉及减轻与存储器结构中的半圆形漏极侧选择栅极SC‑SGD存储器孔有关的问题。当存储器孔被切割时，所述存储器孔的通道和电荷捕获层被切割。此外，外部电介质层用于屏蔽所述通道和所述电荷捕获层被切割并且部分地去除。当选定SC‑SGD被选择用于操作例如，编程时，所述通道和所述电荷捕获层暴露于来自施加到未选定SC‑SGD的偏置电压的相邻电场。为了防止或减轻此电场的影响，负偏置电压被施加到所述未选定SC‑SGD。另外，本公开涉及用于SC‑SGD的自补偿技术。举例来说，所述存储器结构可在验证、编程和读取操作期间利用所述相邻电场，而不管所述相邻电场是相对强还是弱的。
本发明授权用于调整由于半圆形SGD引起的阈值电压分布的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于存取存储器装置的方法，所述方法包括： 在感测操作期间，使用第一电压来偏置第一半圆形漏极侧选择栅极SC-SGD，其中所述第一SC-SGD位于蚀刻区的第一边缘上；以及 在所述感测操作期间，使用小于所述第一电压的第二电压来偏置第二SC-SGD，其中所述第二SC-SGD位于所述蚀刻区的与所述第一边缘相对的第二边缘上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司，其通讯地址为：美国德克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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