美光科技公司中村吉孝获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组合件和形成集成组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210197474.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权集成组合件和形成集成组合件的方法是由中村吉孝;D·D·史莱伦;李宜芳;S·E·西里斯;J·A·伊莫尼吉;K·什里马利设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组合件和形成集成组合件的方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件含有包含一或多种过渡金属的第一结构且含有在所述第一结构上方的第二结构。所述第二结构具有直接抵靠所述第一结构的第一区域且具有通过间隙区域与所述第一结构间隔开的第二区域。所述第二结构包含具有选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素的半导体材料。离子化合物在所述间隙区域内。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。
本发明授权集成组合件和形成集成组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包括： 第一结构，其包含一或多种过渡金属； 第二结构，其在所述第一结构上方并完全跨越所述第一结构和第二结构建立界面；所述第二结构具有在所述界面处直接抵靠所述第一结构的第一区域和与所述第一结构间隔开的第二区域；间隙区域在所述界面处；所述第二结构包括半导体材料，所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素；以及 离子化合物，其在所述间隙区域内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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