湖南三安半导体有限责任公司陈帅获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211263287.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制备方法是由陈帅;房育涛;夏德洋;张洁设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：依次叠置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；若干层过渡层，其设置在势垒层上，其中，每一过渡层包括设置在势垒层上的第一P型掺杂GaN层和设置在第一P型掺杂GaN层上的第一P型掺杂层；盖帽层，其设置在过渡层上；栅极，其设置在盖帽层上；源极，其设置在势垒层上；漏极，其设置在势垒层上，与源极分别设置在栅极的两侧；其中，第一P型掺杂GaN层的掺杂浓度被配置为随靠近第一P型掺杂层所在一侧向靠近衬底所在一侧降低。本披露公开的技术方案能够改善了非栅区域迁移率下降的问题。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底1； 缓冲层2，其设置在所述衬底1上； 沟道层3，其设置在所述缓冲层2上； 势垒层4，其设置在所述沟道层3上； 若干层过渡层5，其设置在势垒层4上，其中，每一所述过渡层5包括设置在势垒层4上的第一P型掺杂GaN层51和设置在所述第一P型掺杂GaN层51上的第一P型掺杂层52；所述若干层过渡层中，最靠近所述衬底的过渡层中的第一P型掺杂GaN层的厚度最厚； 盖帽层6，其设置在所述过渡层5上； 栅极10，其设置在所述盖帽层6上； 源极7，其设置在势垒层4上； 漏极8，其设置在势垒层4上，与所述源极7分别设置在所述栅极10的两侧； 其中，所述第一P型掺杂GaN层51的掺杂浓度被配置为随靠近所述第一P型掺杂层52所在一侧向靠近所述衬底1所在一侧降低。
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