黑龙江大学高扬获国家专利权
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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利可调谐窄带超材料吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210499764.4，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权可调谐窄带超材料吸收器是由高扬;冯恒利;张景煜;张作鑫;房冬超;刘畅;王金成设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本可调谐窄带超材料吸收器在说明书摘要公布了：本发明可调谐窄带超材料吸收器属于超材料吸收器和太赫兹技术领域；该可调谐窄带超材料吸收器由多个结构相同的吸收器单元阵列构成，每个吸收器单元从上到下依次设置钛酸锶层1，介质层2和金膜3；所述钛酸锶层1，介质层2和金膜3的长和宽均相同；所述吸收器单元上刻蚀有矩形盲孔，所述矩形盲孔穿透钛酸锶层1至介质层2上表面；在所述矩形盲孔底部，石墨烯层4紧贴介质层2上表面；本发明可调谐窄带超材料吸收器具有双调控的功能且对极化不敏感，通过改变石墨烯层的费米能级，实现吸收率调控，通过改变钛酸锶层环境温度，实现中心频率调控。
本发明授权可调谐窄带超材料吸收器在权利要求书中公布了：1.可调谐窄带超材料吸收器，由多个结构相同的吸收器单元阵列构成，每个吸收器单元从上到下依次设置钛酸锶层1，介质层2和金膜3；所述钛酸锶层1，介质层2和金膜3的长和宽均相同；其特征在于，所述吸收器单元中心刻蚀有矩形盲孔，所述矩形盲孔穿透钛酸锶层1至介质层2上表面；在所述矩形盲孔底部，石墨烯层4紧贴介质层2上表面；所述介质层2的材料是TOPAS。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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