苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115606006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097541.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及其制作方法是由程凯;朱丹丹设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的衬底、异质结、P型离子掺杂层以及栅极绝缘层，其中，异质结包括源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域上的P型离子掺杂层包括激活区与非激活区，激活区中的P型掺杂离子被激活，非激活区中的P型掺杂离子被钝化，非激活区至少包括两个区域且在垂直于源极区域与漏极区域的连线方向上间隔分布；栅极绝缘层位于非激活区上，用于暴露激活区。利用栅极绝缘层作为激活P型掺杂离子时的掩膜层，避免对P型离子掺杂层进行刻蚀，从而避免刻蚀造成异质结的损失。此外，非激活区间隔分布可隔断激活区，增加耗尽区的宽度，能改变栅漏之间的电场分布，提高半导体结构的击穿电压。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 自下而上分布的衬底10、异质结11、P型离子掺杂层12以及栅极绝缘层13；所述异质结11包括源极区域11d、漏极区域11e以及位于所述源极区域11d与所述漏极区域11e之间的栅极区域11c，所述栅极区域11c上的所述P型离子掺杂层12包括激活区121与非激活区122，所述激活区121中的P型掺杂离子被激活，所述非激活区122中的P型掺杂离子被钝化，所述非激活区122至少包括两个区域且在垂直于所述源极区域11d与所述漏极区域11e的连线方向上间隔分布；所述栅极绝缘层13位于所述非激活区122上，用于暴露所述激活区121；以及 栅极14a，位于所述栅极绝缘层13上，而不接触所述P型离子掺杂层12。
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