重庆康佳光电技术研究院有限公司崔丽君获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111062453.3，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板是由崔丽君;萧俊龙;刘海平设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板。半导体结构的制备方法包括：提供第一暂态基板；于第一暂态基板的表面形成牺牲层，牺牲层内具有多个间隔排布的开口；于开口内形成弱化结构；提供衬底，衬底的表面具有多个微器件；将微器件与弱化结构粘合，微器件与弱化结构一一对应；去除衬底，以暴露出微器件的出光面；去除衬底后，微器件的出光面具有残留金属；去除残留金属，并去除牺牲层以释放弱化结构。在不破坏弱化结构的前提下，一步同时去除残留金属和牺牲层，使得弱化结构得以释放，节约成本，可减少制程工艺复杂度，提高微器件出光面的发光效率，降低微器件移动至背板的转移难度。
本发明授权半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一暂态基板； 于所述第一暂态基板的表面形成牺牲层，所述牺牲层内具有多个间隔排布的开口；所述牺牲层包括磷化铟层； 于所述开口内形成弱化结构； 提供衬底，所述衬底的表面具有多个微器件； 将所述微器件与所述弱化结构粘合，所述微器件与所述弱化结构一一对应； 去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面；去除所述衬底后，所述微器件的出光面具有残留金属； 去除所述残留金属，并去除所述牺牲层以释放所述弱化结构； 所述去除所述残留金属，并去除所述牺牲层以释放所述弱化结构，包括： 使用酸性溶液去除所述残留金属及所述牺牲层。
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