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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115800990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211448884.8，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器是由闫爱斌;夏凡;位少杰;申震;崔杰;倪天明;黄正峰设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器在说明书摘要公布了：本发明主要是为了解决现有的自恢复锁存器面积开销大、功耗高、难以实现双节点同时自恢复的问题，公开了一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和三个传输门，所述双循环结构存储模块由七个二输入C单元和两个反相器组成。本发明具有高可靠性，可容忍任意双节点翻转并且可完全自恢复，提升了锁存器容忍能力；使用较少MOS管，降低了面积开销和功耗开销；输入端与输出端之间只有一个传输门，路径更为高效，降低了传输时延。

本发明授权一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器在权利要求书中公布了：1.一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，包括双循环结构存储模块和三个传输门，所述双循环结构存储模块由七个二输入C单元和两个反相器组成，所述七个二输入C单元包括第一C单元CE1、第二C单元CE2、第三C单元CE3、第四C单元CE4、第五C单元CE5、第六C单元CE6和第七C单元CE7；所述两个反相器包括第一反相器T1和第二反相器T2；所述三个传输门包括第一传输门TG1、第二传输门TG2和第三传输门TG3；第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3的输入端均作为锁存器的数据输入端，第六C单元CE6、第三传输门TG3的输出端均作为锁存器的数据输出端； 所述第一C单元CE1的第一输入端与第二C单元CE2的输出端N2相连，第一C单元CE1的第二输入端与第四C单元CE4的输出端N4相连，第一C单元CE1的输出端N1与第六C单元CE6的第二输入端相连；所述第二C单元CE2的第一输入端与第七C单元CE7的输出端N7相连，第二C单元CE2的第二输入端与第五C单元CE5的输出端N5相连，第二C单元CE2的输出端N2还与第三C单元CE3的第一输入端相连；所述第三C单元CE3的第二输入端与第六C单元CE6的输出端N6相连，第三C单元CE3的输出端N3分别与第四C单元CE4的第二输入端、第二反相器T2的输入端相连；所述第四C单元CE4的第一输入端与第七C单元CE7的输出端N7相连，第四C单元CE4的输出端N4还与第五C单元CE5的第一输入端相连；所述第五C单元CE5的第二输入端与第六C单元CE6的输出端N6相连，第五C单元CE5的输出端N5还与第一反相器T1的输入端相连；所述第六C单元CE6的第一输入端与第七C单元CE7的输出端N7相连；所述第七C单元CE7的第一输入端与第二反相器T2的输出端相连，第七C单元CE7的第二输入端与第一反相器T1的输出端相连； 所述C单元包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2；其中，第一PMOS管MP1的栅极与第一NMOS管MN1的栅极相连接，连接点为所述C单元的第一输入端；第二PMOS管MP2的栅极与第二NMOS管MN2的栅极相连接，连接点为所述C单元的第二输入端；第一PMOS管MP1的漏极与第二PMOS管MP2的源极相连接；第二PMOS管MP2的漏极与第一NMOS管MN1的漏极相连接，连接点为C单元的输出端；第一NMOS管MN1的源极与第二NMOS管MN2的漏极相连接；第一PMOS管MP1的源极、第一PMOS管MP1的衬底、第二PMOS管MP2的衬底均连接电源VDD；第一NMOS管MN1的衬底、第二NMOS管MN2的衬底、第二NMOS管MN2的源极均接地； 所述三个传输门的结构相同，均由一个PMOS管和一个NMOS管构成； 所述两个反相器的结构相同，均由一个PMOS管和一个NMOS管构成。

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