联华电子股份有限公司李志成获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111160515.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由李志成;谢宗翰;李凯霖设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一栅极介电层于一基底上，然后形成一栅极材料层于该栅极介电层上，图案化该栅极材料层以及该栅极介电层以形成一栅极结构，去除部分该栅极介电层，形成一间隙壁于栅极结构旁并同时形成一气孔于该栅极介电层以及该间隙壁之间，之后再形成一源极漏极区域于间隙壁两侧。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成栅极介电层于基底上； 形成栅极材料层于该栅极介电层上； 图案化该栅极材料层以及该栅极介电层以形成栅极结构； 去除部分该栅极介电层；以及 形成间隙壁于该栅极结构旁； 进行一金属栅极置换制作工艺将栅极结构转换为金属栅极，该金属栅极包括：高介电常数介电层，设于该栅极介电层上， 其中该栅极介电层以及该间隙壁之间具有气孔，该气孔位于该高介电常数介电层的正下方，并暴露出该基底和该栅极介电层的表面，其中该气孔的外侧侧壁切齐该高介电常数介电层的侧壁，该基底的上部包含在该栅极介电层的第一侧最接近该栅极介电层的第一掺杂区以及在该栅极介电层的相对于该第一侧的第二侧最接近该栅极介电层的第二掺杂区，该第一掺杂区和该第二掺杂区均不接触该栅极介电层。
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