华为技术有限公司赫然获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102288.7，技术领域涉及：H10W40/25；该发明授权一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法是由赫然;焦慧芳设计研发完成，并于2020-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法，涉及电子产品散热技术领域，半导体结构，包括半导体器件、键合层、衬底和导电通孔，以及金属层，其中，半导体器件通过键合层被设置在衬底的上表面上，金属层被设置在衬底的下表面上，衬底包括基板、形成于基板内的凹槽，以及被收容在凹槽中的金刚石，导电通孔贯通衬底、键合层以及半导体器件的至少一部分，并与金属层电连接，凹槽绕过导电通孔。
本发明授权一种半导体结构、电子设备及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体器件； 键合层； 衬底；以及 金属层； 其中，所述半导体器件通过所述键合层被设置在所述衬底的上表面上，所述金属层被设置在所述衬底的下表面上 所述衬底包括基板、形成于所述基板内的凹槽，以及被收容在所述凹槽中的金刚石， 所述半导体结构还包括导电通孔，所述导电通孔贯通所述衬底、所述键合层以及所述半导体器件的至少一部分，并与所述金属层电连接， 所述凹槽围绕所述导电通孔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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