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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体记忆体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224139368U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520040740.1，技术领域涉及：H10B63/00；该实用新型半导体记忆体结构是由陈姿妤;石昇弘;涂国基;朱文定设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体记忆体结构在说明书摘要公布了：一种半导体记忆体结构，包括：第一图案化金属化层；介电层，设置在所述第一图案化金属化层上，所述介电层具有与第一导电特征对齐的井；电阻式随机存取记忆体RRAM单元设置在所述介电层上且与所述介电层的所述井对齐，所述RRAM单元包括底部电极层、电阻开关层及顶部电极层，其中所述RRAM单元位于所述井内并延伸至所述井的所述第一侧壁的第一部分且延伸至所述井的所述第二侧壁的第一部分，并且所述井的所述第一侧壁及所述井的所述第二侧壁分别具有第二部分，且所述第二部分与所述RRAM单元没有任何接触；层间介电层，设置在所述RRAM单元上，所述层间介电层包括连接到所述RRAM单元的通孔；以及金属化层，包括连接到所述通孔的嵌入式第二导电特征。

本实用新型半导体记忆体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体记忆体结构，其特征在于，包括： 第一图案化金属化层； 介电层，设置在所述第一图案化金属化层上，所述介电层具有与第一导电特征对齐的井，所述井由底部、顶部、底部宽度、大于所述底部宽度的顶部宽度、从所述底部延伸到所述顶部的锥形的第一侧壁及从所述底部延伸到所述顶部的锥形的第二侧壁来限定； RRAM单元设置在所述介电层上且与所述介电层的所述井对齐，所述RRAM单元包括底部电极层、电阻开关层及顶部电极层，且所述RRAM单元由小于所述介电层中的所述井的所述顶部宽度的单元宽度来定义，其中所述RRAM单元位于所述井内并延伸至所述井的所述第一侧壁的第一部分且延伸至所述井的所述第二侧壁的第一部分，并且所述井的所述第一侧壁及所述井的所述第二侧壁分别具有第二部分，且所述第二部分与所述RRAM单元没有任何接触； 层间介电层，设置在所述RRAM单元上，所述层间介电层包括连接到所述RRAM单元的通孔；以及 金属化层，包括连接到所述通孔的嵌入式第二导电特征。

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