启明光子(北京)科技有限公司付孔霜获国家专利权
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龙图腾网获悉启明光子(北京)科技有限公司申请的专利一种铌酸锂氮化硅集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121209004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511443611.8，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种铌酸锂氮化硅集成器件及其制备方法是由付孔霜;张心雨;安晓维设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铌酸锂氮化硅集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种铌酸锂氮化硅集成器件的制备方法，包括如下步骤：S1、制备铌酸锂调制器，所述铌酸锂调制器中包括铌酸锂波导和调制电极、热电极、铌酸锂键合电极；S2、制备氮化硅芯片，所述氮化硅芯片中包括氮化硅波导，在所述氮化硅芯片上完成电极键合区域开窗并制作氮化硅键合电极；S3、将所述铌酸锂调制器倒装装入所述氮化硅芯片的电极键合区域开窗结构内，键合后铌酸锂的电极信号通过氮化硅金属键合层导出；S4、低温键合所述铌酸锂调制器与所述氮化硅芯片。本发明通过在氮化硅芯片上刻蚀开窗后再倒装装入铌酸锂调制器的工艺可实现铌酸锂调制器和氮化硅芯片的高效集成，并获得较好的光学耦合性能及可靠的电气连接。
本发明授权一种铌酸锂氮化硅集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂氮化硅集成器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、制备铌酸锂调制器，所述铌酸锂调制器中包括铌酸锂波导3和调制电极4、热电极6、铌酸锂键合电极9； S2、制备氮化硅芯片，所述氮化硅芯片中包括氮化硅波导12，在所述氮化硅芯片上完成电极键合区域开窗并制作氮化硅键合电极14； S3、将所述铌酸锂调制器倒装装入所述氮化硅芯片的电极键合区域开窗结构内，将所述铌酸锂波导3与所述氮化硅波导12位置相匹配，并使所述铌酸锂键合电极9和所述氮化硅键合电极14电连接，键合后铌酸锂的电极信号通过氮化硅金属键合层导出； S4、低温键合所述铌酸锂调制器与所述氮化硅芯片。
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