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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511797762.3，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器是由陈维邦设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供包括第一顶面的衬底；于衬底的第一顶面形成第一半导体层，第一半导体层内包括沿第一方向间隔分布，且顶面不低于第一半导体层顶面的多个第一光敏部；形成覆盖第一半导体层的第二半导体层，第二半导体层内包括沿第一方向间隔分布，且沿靠近衬底的第二方向贯穿第二半导体层并延伸至多个第一光敏部顶面的多个第二光敏部；形成覆盖第二半导体层的第三半导体层，第三半导体层内包括沿第一方向间隔分布，且沿第二方向贯穿第二半导体层并延伸至多个第二光敏部内部的多个第三光敏部。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能。

本发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括： 提供包括第一顶面的衬底；于所述衬底的第一顶面形成第一半导体层，所述第一半导体层内包括沿第一方向间隔分布，且顶面不低于所述第一半导体层顶面的多个第一光敏部；所述第一半导体层、所述多个第一光敏部在相同工艺步骤中同期制备而成； 形成覆盖所述第一半导体层的第二半导体层，所述第二半导体层内包括沿所述第一方向间隔分布，且沿靠近所述衬底的第二方向贯穿所述第二半导体层并延伸至所述多个第一光敏部顶面的多个第二光敏部；所述第一光敏部顶面在所述第二光敏部底面的正投影，位于所述第二光敏部底面以内；所述第二半导体层、所述多个第二光敏部在相同工艺步骤中同期制备而成； 形成覆盖所述第二半导体层的第三半导体层，所述第三半导体层内包括沿所述第一方向间隔分布，且沿所述第二方向贯穿所述第三半导体层并延伸至所述多个第二光敏部内部的多个第三光敏部；所述第二光敏部周向环绕其内的所述第三光敏部；所述第三半导体层、所述多个第三光敏部在相同工艺步骤中同期制备而成；沿所述第二方向依次分布的所述第一光敏部、所述第二光敏部及所述第三光敏部用于构成光敏叠层，所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层用于与所述光敏叠层之间形成PN结。

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