合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511797938.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法是由陈维邦设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：衬底，衬底包括位于第一表面上，且沿平行于第一表面的第一方向交替排列的光电二极管及隔离结构；隔离结构包括沿背离衬底的第二方向交替层叠的SiB层及氧化层；光电二极管内包括沿背离衬底的第二方向排列的底部光敏区、中部光敏区、顶部光敏区；SiB层沿第一方向延伸并贯穿底部光敏区及顶部光敏区；底部光敏区及顶部光敏区包括沿第一方向间隔排列，且沿朝向衬底方向贯穿SiB层的SiAs层，中部光敏区包括沿第二方向延伸至顶部光敏区的SiP层。能够避免高能离子注入造成的衬底损伤，同时提高了BSI的量子效率。
本发明授权背照式图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括位于第一表面上，且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排列的光电二极管及隔离结构； 所述隔离结构包括沿背离所述衬底的第二方向交替层叠的SiB层及氧化层； 所述光电二极管内包括沿背离所述衬底的第二方向排列的底部光敏区、中部光敏区、顶部光敏区；所述SiB层沿所述第一方向延伸； 所述底部光敏区及所述顶部光敏区包括沿所述第一方向间隔排列，且沿朝向所述衬底方向贯穿所述SiB层的SiAs层，在光电二极管区域内所述SiB层与底部光敏区及顶部光敏区的SiAs层交替排列；所述中部光敏区包括沿所述第二方向延伸至顶部光敏区的SiP层； 其中，所述SiB层用于代表掺杂B的硅材料，所述SiAs层用于代表掺杂As的硅材料，所述SiP层用于代表掺杂P的硅材料。
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