华南理工大学兰林锋获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511855120.4，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用是由兰林锋;温嘉琳;林家俊;刘鲁郁;郑卜玮;曹榆东;彭俊彪设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用在说明书摘要公布了：高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用，其中高迁高稳氧化物半导体材料，为通过在金属氧化物MO中掺入磁性材料MA形成化学式为MAxMO1‑x的半导体材料，且0.001≤x≤0.3，从而使其载流子具有可电场控制的自旋磁矩；所述金属氧化物MO至少含有铟、锌、镓、锡或镉中的一种元素。本发明利用磁性材料MA的磁性元素掺杂使氧化物半导体具有稀磁特性，通过控制电子自旋注入，实现对TFT阈值电压的控制，从而能在高载流子浓度、高迁移率下实现较低的阈值电压，并具有较好的稳定性。本发明能提高氧化物薄膜晶体管的开关比、降低关态电流，控制阈值电压、提高迁移率和稳定性。
本发明授权高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用在权利要求书中公布了：1.一种高迁高稳氧化物半导体材料，其特征在于：为通过在金属氧化物MO中掺入磁性材料MA形成化学式为MAxMO1-x的半导体材料，且0.001≤x≤0.3，从而使其载流子具有可电场控制的自旋磁矩； 所述金属氧化物MO至少含有铟、锌、镓、锡或镉中的一种元素； 所述磁性材料MA同时包含3d磁性元素和4f稀土磁性元素；所述3d磁性元素为铁、钴、镍、锰、铬中的至少一种； 所述4f稀土磁性元素为镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱或镥中的至少一种； 还包含硼元素； 所述硼元素在所述磁性材料MA中。
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